时间：2025/8/13 17:42:38
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NSVMMUN2235LT1G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件专为高频放大和开关应用而设计，适用于通信设备、射频（RF）电路以及各种通用放大器电路。该晶体管采用SOT-23封装，适合表面贴装，具有良好的热稳定性和高频性能。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集射极电压（Vce）：30 V
最大基极电流（Ib）：5 mA
最大功耗（Pd）：300 mW
最大工作温度：150°C
增益带宽积（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
封装类型：SOT-23
NSVMMUN2235LT1G具有优异的高频响应性能，适合用于射频放大和高速开关应用。其高电流增益范围（hFE）确保了在不同工作条件下都能提供稳定的放大能力。该器件的封装形式为SOT-23，体积小、重量轻，便于在高密度印刷电路板上安装。此外，该晶体管具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级温度范围内工作。其低饱和电压特性也有助于降低功耗，提高系统效率。
由于其优异的高频特性，NSVMMUN2235LT1G在射频前端模块、无线通信系统、数据传输设备中得到了广泛应用。同时，该晶体管的多功能性和高可靠性使其成为许多通用电子电路设计中的首选器件。
NSVMMUN2235LT1G广泛应用于射频放大器、无线通信设备、音频放大电路、开关电源、传感器接口电路以及各种消费类电子和工业控制设备。其高频特性使其在无线发射和接收模块中表现尤为出色。
MMUN2235LT1G, 2N3904, BC547, PN2222A
