NSSW150T 时间：2025/12/28 16:34:02 阅读：11

NSSW150T是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的电源应用，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热性能。NSSW150T采用先进的PowerTrench?技术，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电源管理和电池供电系统等应用。该MOSFET封装为DPAK（TO-252）形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（Tc=25°C）
　　功耗（Pd）：250W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

NSSW150T的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。该器件采用PowerTrench?技术，能够实现更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，其高耐压能力（150V）使其适用于各种中高压电源系统。DPAK封装提供了良好的热管理性能，确保在高电流条件下仍能稳定运行。
　　此外，NSSW150T具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统效率。其栅极设计支持宽范围的栅极驱动电压，提高了与各种驱动电路的兼容性。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。
　　由于其高耐用性和稳定性，NSSW150T广泛应用于工业电源、电动工具、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备和电动车控制系统等领域。

应用

NSSW150T适用于多种高功率电子系统，包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制器、电源管理系统和电池供电设备。在电信和服务器电源系统中，该器件可用于高效率的电源转换模块。在电动汽车和电动工具中，它可作为功率开关用于电机控制或电池管理系统。此外，NSSW150T也适用于需要高电流能力和高可靠性的工业自动化和控制系统。