类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.6A
　　脉冲漏极电流（IDM）：22A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值70mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOP-6

NSSM240AT具备出色的电气性能和热稳定性，主要特点包括低导通电阻，这有助于降低系统功耗并提高整体效率。
　　该器件采用了高性能的Trench沟槽结构设计，使得在相同尺寸下比传统MOSFET拥有更低的RDS(on)，从而减少了传导损耗。
　　NSSM240AT的栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的+10V或+12V驱动电压，便于与多种控制器和驱动IC配合使用。
　　其封装形式为TSOP-6，体积小巧，适合用于空间受限的设计场合，同时具备良好的散热能力，确保在较高电流下稳定运行。
　　该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，提高了在突发过压或感性负载切换时的可靠性。
　　此外，NSSM240AT符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于对环境要求较高的电子设备。

该器件广泛应用于各类电力电子系统中，例如：
　　在DC-DC转换器中作为主开关管，利用其低RDS(on)提升转换效率；
　　在负载开关电路中用于控制电源分配，如笔记本电脑外设接口电源管理；
　　在电池管理系统中用于充放电控制，保障电池安全运行；
　　在工业自动化控制系统中用于电机驱动或继电器替代方案；
　　也可用于手持设备和嵌入式系统的电源管理模块，实现节能高效运行。

Si2302DS, FDN340P, FDMS86101