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NSS30100LT1G 发布时间 时间：2023/4/11 9:59:12 查看 阅读：487

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品 

家庭：晶体管(BJT) - 单路

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大）：100nA

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 500mA, 2V

功率 - 最大：310mW

频率 - 转换：100MHz

安装类型：表面贴装 

封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3 

包装：带卷 (TR)

供应商设备封装：SOT-23

其它名称：NSS30100LT1G-NDNSS30100LT1GOSTR

资料

厂商
ON Semiconductor

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NSS30100LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）650mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大310mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NSS30100LT1G-NDNSS30100LT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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