您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NSS20601CF8T1G

NSS20601CF8T1G 发布时间 时间:2025/4/28 10:05:58 查看 阅读:3

NSS20601CF8T1G 是一款由 Nexperia 生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它主要适用于需要高效能和低功耗的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。此型号为 N 沟道增强型 MOSFET,封装形式为 LFPAK88-8(D2PAK),非常适合表面贴装技术(SMT)应用。
  这款 MOSFET 以其极低的导通电阻和优化的栅极电荷设计而著称,从而降低了传导损耗和开关损耗,提升了整体效率。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:LFPAK88-8 (D2PAK)
  最大漏源电压(V_DS):60V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  连续漏极电流(I_D):135A
  导通电阻(R_DS(on)):0.75mΩ @ V_GS=10V
  栅极电荷(Q_g):95nC
  总电容(C_iss):2450pF
  输入电容(C_oss):185pF
  输出电容(C_rss):255pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻(R_DS(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流能力(I_D = 135A),适用于大功率应用。
  3. 高效的热管理设计,确保在高负载条件下保持稳定的性能。
  4. 小型化封装 LFPAK88-8 提供了出色的散热特性和易于集成的优势。
  5. 快速开关特性,适合高频开关电源和转换器。
  6. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),使其能够适应极端环境条件。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 电动工具、家用电器和其他设备中的电机驱动。
  4. 工业自动化和汽车电子中的负载开关。
  5. 电池保护和管理系统(BMS)。
  6. 大功率 LED 驱动器。
  7. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

NSS20601CF8T1GA, IRF2807Z, FDP16N60E

NSS20601CF8T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NSS20601CF8T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)130mV @ 400mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大830mW
  • 频率 - 转换140MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装ChipFET?
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NSS20601CF8T1GOSTR