时间：2025/5/9 9:32:23
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NSS1C200MZ4T3G 是一款基于硅技术的 N 沤道场效应晶体管（N-MOSFET），由ONSEMI公司生产。该器件主要设计用于高频开关应用和电源管理领域，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适合于高效能转换器、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-263），具备出色的热性能和电气性能，使其能够在高功率密度的应用中保持稳定运行。
型号：NSS1C200MZ4T3G
制造商：ONSEMI
类型：N-MOSFET
VDS（漏源极电压）：200V
RDS(on)（导通电阻）：0.27Ω（典型值，25°C）
IDS（连续漏极电流）：2.9A
PD（总功耗）：10W
栅极电荷（Qg）：11nC（典型值）
VGS(th)（阈值电压）：2.5V（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK（TO-263）
NSS1C200MZ4T3G 具有以下显著特点：
1. 低导通电阻（RDS(on)）：能够减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力：较小的栅极电荷使得开关速度更快，从而降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力：增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 较高的漏源极电压（VDS）：支持高达 200V 的电压，适用于高压应用场景。
5. 紧凑型封装：采用 DPAK 封装，便于 PCB 布局且散热性能优异。
6. 宽广的工作温度范围：可以在极端温度环境下稳定运行，适合工业和汽车级应用。
NSS1C200MZ4T3G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- DC-DC 转换器
- 电池充电器
2. 电机驱动：
- 步进电机控制器
- 小型直流电机控制
3. 保护电路：
- 过流保护
- 短路保护
4. 工业自动化：
- 可编程逻辑控制器 (PLC)
- 工业传感器接口
5. 汽车电子：
- 车载充电系统
- LED 驱动
- 电动座椅及车窗控制
NSS200P3LT4G
NSS200P4LT4G
FDP18N20Z
