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NSS1C200LT1G 发布时间 时间:2025/4/29 11:54:52 查看 阅读:1

NSS1C200LT1G 是一款来自安森美(ON Semiconductor)的超低电容ESD保护二极管阵列,设计用于保护高速数据线免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态电压的损害。这款器件具有极低的电容特性,非常适合高速接口应用,如 USB 3.1、HDMI 2.0、DisplayPort 和其他高速差分信号线路。
  该产品采用 SOT-23 封装形式,提供卓越的 ESD 防护能力而不影响信号完整性,确保设备在恶劣电磁环境中的可靠运行。

参数

工作电压:5V
  最大箝位电压:16V
  ESD 防护等级(HBM):±20kV
  动态电阻:0.4Ω
  结电容:0.4pF
  响应时间:1ns
  漏电流:1nA
  封装形式:SOT-23

特性

1. 极低结电容(0.4pF),适合高速数据线路。
  2. 提供高达 ±20kV 的人体模型(HBM)ESD 防护能力。
  3. 快速响应时间(1ns),能够迅速抑制瞬态电压。
  4. 超低漏电流(1nA),减少功耗。
  5. 紧凑型 SOT-23 封装,便于 PCB 布局设计。
  6. 工作电压范围宽,适用于多种应用场景。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。

应用

NSS1C200LT1G 广泛应用于消费电子和工业领域中需要高速数据传输和高可靠性防护的场景,具体包括:
  1. USB 3.1 接口保护。
  2. HDMI 2.0 和 DisplayPort 数据线防护。
  3. 移动设备(智能手机、平板电脑等)的天线和 I/O 端口保护。
  4. 数字电视和机顶盒的高速接口防护。
  5. 汽车电子系统中的高速通信线路保护。
  6. 工业自动化设备中的信号链路防护。

替代型号

PESD2CAN, SP1019, SMAJ5.0A

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NSS1C200LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 50mA,2V
  • 功率 - 最大490mW
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NSS1C200LT1G-NDNSS1C200LT1GOSTR