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NSPW510HS-K1 发布时间 时间:2025/8/20 19:22:29 查看 阅读:7

NSPW510HS-K1是一款由ON Semiconductor生产的高灵敏度、低噪声、双极型NPN晶体管,专为高频和射频应用设计。这款晶体管具有出色的性能特性,适用于无线通信、广播设备、测试仪器以及其他需要高增益和高速响应的电子系统。NSPW510HS-K1采用SOT-343封装形式,尺寸小巧,适合高密度电路板设计,并具有良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型:NPN晶体管
  封装类型:SOT-343
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50V
  最大功耗(Ptot):200mW
  频率响应(fT):8GHz
  增益带宽积:8GHz
  噪声系数:0.85dB(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

NSPW510HS-K1晶体管在射频和高频电路中表现出色,具有较低的噪声系数(典型值为0.85dB),使其非常适合用于前置放大器和低噪声放大器(LNA)设计。该器件的频率响应高达8GHz,能够满足现代高频通信系统的需求。此外,NSPW510HS-K1具有高增益带宽积,确保在高频条件下仍能保持稳定的增益性能。其低功耗设计和良好的热稳定性,使得该晶体管能够在各种恶劣环境下可靠运行。SOT-343封装形式不仅节省空间,还便于自动化装配和表面贴装技术(SMT)应用。

应用

NSPW510HS-K1广泛应用于射频和微波通信系统、无线局域网(WLAN)、蓝牙和ZigBee模块、GPS接收器、测试和测量设备、广播设备以及各类高频放大器电路。由于其低噪声和高频率响应特性,该晶体管常用于需要高灵敏度和快速响应的信号放大和处理电路中。

替代型号

BFQ59, BFQ67, BFG21, BFR93A

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