NSPB510AS 是一颗由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。这颗晶体管具有较高的电流增益和良好的高频性能,适用于多种通用开关和放大应用。NSPB510AS 采用 SOT-23 封装,适合在空间受限的 PCB 设计中使用,具有较高的稳定性和可靠性。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vceo):50V
最大集电极-基极电压(Vcbo):50V
最大功耗(Pd):300mW
电流增益(hFE):110 - 800(取决于测试条件)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
NSPB510AS 晶体管具备多项出色的电气特性,使其在通用电子电路设计中表现出色。首先,其最大集电极电流为 100mA,适合中等功率的开关和放大应用。其次,集电极-发射极电压(Vceo)和集电极-基极电压(Vcbo)均为 50V,使其能够在中高压环境中稳定工作。晶体管的电流增益(hFE)范围为 110 到 800,具体数值取决于工作电流,这意味着它可以在不同工作条件下提供稳定的增益性能。
该晶体管的过渡频率(fT)为 100MHz,表明其具备良好的高频响应能力,适用于射频(RF)放大和高速开关电路。NSPB510AS 采用 SOT-23 小型封装,有助于节省 PCB 空间,适合便携式电子设备和高密度电路板设计。其最大功耗为 300mW,在正常工作条件下能够有效散热,保证长期运行的可靠性。
此外,NSPB510AS 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,使其适用于各种工业和汽车电子环境。晶体管的封装材料符合 RoHS 标准,满足环保要求。由于其优异的电气性能和广泛的应用范围,NSPB510AS 成为许多通用晶体管应用的理想选择。
NSPB510AS 主要用于各类通用晶体管应用,包括但不限于开关电路、放大电路、信号处理电路以及逻辑电平转换电路。其高频特性使其适用于射频(RF)放大器和高速开关电路。在数字电路中,它可以作为晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路的一部分,用于驱动 LED、继电器、小型电机等负载。此外,该晶体管也广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块和汽车电子系统中。
BC547, 2N3904, PN2222A, MMBT5100