NSI45020AT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景中。
这款MOSFET的最大漏源电压为45V,连续漏极电流可达20A,且具备优异的热性能和电气性能。其小型化的封装设计使得它非常适合于空间受限的应用环境。
最大漏源电压(Vds):45V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ (在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):23nC
总电容(Ciss):2760pF
功耗(PD):12W (TA=25℃时)
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著降低功率损耗。
2. 快速开关性能,适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力,提高系统可靠性。
4. 符合RoHS标准,绿色环保。
5. 小型化封装DFN5x6,适合紧凑型设计。
6. 热稳定性强,能够承受极端的工作温度范围。
7. 内置ESD保护,提升抗静电能力。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 消费类电子产品的电机驱动控制。
5. 工业自动化设备中的功率级管理。
6. 电信及网络设备的高效功率分配。
7. 汽车电子中的各种负载切换与保护功能。
IRLR7846PbF, AO3400A, FDP5802