时间：2025/5/26 16:32:39
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NSI45020AT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景中。
这款MOSFET的最大漏源电压为45V，连续漏极电流可达20A，且具备优异的热性能和电气性能。其小型化的封装设计使得它非常适合于空间受限的应用环境。
最大漏源电压(Vds)：45V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ (在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：23nC
总电容(Ciss)：2760pF
功耗(PD)：12W (TA=25℃时)
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著降低功率损耗。
2. 快速开关性能，适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力，提高系统可靠性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 小型化封装DFN5x6，适合紧凑型设计。
6. 热稳定性强，能够承受极端的工作温度范围。
7. 内置ESD保护，提升抗静电能力。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 消费类电子产品的电机驱动控制。
5. 工业自动化设备中的功率级管理。
6. 电信及网络设备的高效功率分配。
7. 汽车电子中的各种负载切换与保护功能。
IRLR7846PbF, AO3400A, FDP5802
