时间：2025/12/24 9:50:46
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NSG27519 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的电流承载能力，适用于高效率、高频开关应用。NSG27519 的工作电压为 30V，非常适合用于负载开关、DC/DC 转换器、同步整流和电机驱动等场景。
这款芯片以其卓越的性能在电源管理领域中被广泛使用，尤其是在需要高效能量转换和紧凑设计的应用中。
类型：MOSFET
沟道类型：N 沟道
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大连续漏电流(Id)：67A
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ (典型值，Vgs=10V)
功耗(Ptot)：25W
封装形式：TO-220FP
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力（高达 67A），确保在大功率应用场景下的可靠性。
3. 快速开关速度，适合高频开关电路。
4. 提供优异的热性能，有助于延长器件寿命。
5. 小型化设计，易于集成到紧凑的电路板中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接兼容。
7. 可靠性经过严格测试，满足工业级标准要求。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 同步整流电路中的整流管。
3. DC/DC 转换器中的功率开关。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载控制。
5. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
6. 工业自动化设备中的电源模块。
7. 计算机及服务器中的电压调节模块 (VRM)。
IRFZ44N, FDP5570, PSMN0R9-30YL, AO3400A
