型号：NSD15TR-5K
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：9.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：15mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：20mΩ
　　栅极电荷（Qg）@4.5V：6.8nC
　　输入电容（Ciss）：410pF
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：14ns
　　反向恢复时间（trr）：10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-723 (SC-88)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：250°C/W
　　极性：N-Channel Enhancement Mode

NSD15TR-5K具备多项优异的电气和物理特性，使其成为低电压、高效率功率开关应用的理想选择。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在同类器件中处于领先水平，在VGS=4.5V条件下仅为15mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热。其次，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通能力，在VGS=2.5V时RDS(on)仅为20mΩ，表明其适用于3.3V或更低逻辑电平驱动的微控制器或电源管理IC直接控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　NSD15TR-5K采用先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的电流承载能力。同时，其较小的栅极电荷（Qg=6.8nC）意味着在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于降低动态功耗，提高开关频率下的效率表现。输入电容（Ciss）为410pF，配合快速的开关时间（开启延迟7ns，关断延迟14ns），使得该器件在高频DC-DC转换器中表现出色，可有效减少开关损耗并提升瞬态响应能力。
　　在封装方面，SOT-723是一种超小型表面贴装封装，尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 0.95mm，极大节省了PCB空间，特别适用于智能手机、可穿戴设备、TWS耳机等对体积敏感的应用场景。尽管封装小巧，但其热阻（RθJA=250°C/W）在合理布局下仍可满足大多数中等功率应用的散热需求。此外，该器件具备优良的雪崩耐受能力和抗静电（ESD）性能，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。综合来看，NSD15TR-5K在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效、紧凑型电源系统中的优选MOSFET器件。

NSD15TR-5K广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。其主要应用场景包括便携式消费类电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中的背光控制、摄像头模块供电切换以及USB端口电源管理。在这些应用中，该器件的低导通电阻和小封装尺寸能够有效降低静态功耗并节省宝贵的空间资源。
　　在DC-DC转换器拓扑中，NSD15TR-5K常被用作同步整流器或主开关管，尤其是在降压（Buck）转换器中，配合控制器实现高效率电压转换。其快速开关特性和低栅极电荷使其在高频操作下仍能保持较低的开关损耗，适用于多相VRM或POL（Point-of-Load）电源模块设计。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，如微型直流电机或步进电机的H桥驱动中的低端开关，凭借其高电流承载能力和快速响应能力，可实现精确的启停和调速控制。在电池管理系统（BMS）中，NSD15TR-5K可用于电池充放电通路的通断控制，保障系统的安全运行。
　　其他典型应用还包括LED驱动电路、热插拔控制器、传感器电源开关以及各种嵌入式控制系统中的功率切换模块。由于其符合工业级温度范围和环保标准，NSD15TR-5K也可用于工业自动化、智能家居设备和物联网终端等可靠性和稳定性要求较高的领域。

NDS1556UT1G
　　FDMC86261
　　AOZ5215N