时间：2025/5/19 14:08:25
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NSBC123JDP6T5G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件，适用于高频和高功率密度应用。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，能够显著提升系统效率和功率密度。
该型号属于英飞凌 CoolGaN 系列产品，主要面向 AC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路、无线充电模块以及其他高频开关应用场景。
类型：增强型 GaN 晶体管
导通电阻 (Rds(on))：40 mΩ
击穿电压 (Vds)：600 V
栅极阈值电压 (Vgs(th))：1.8 V
最大工作结温：175°C
封装形式：D2PAK-7
连续漏极电流 (Id)：12 A
输入电容 (Ciss)：1080 pF
反向传输电容 (Crss)：28 pF
NSBC123JDP6T5G 的核心优势在于其采用先进的氮化镓技术，具备卓越的开关特性和热管理能力。具体特性如下：
1. 极低的导通电阻（40 mΩ），有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，支持高达几兆赫的工作频率，从而减少磁性元件尺寸并优化设计体积。
3. 内置温度保护功能，提供更高的系统可靠性。
4. 封装为 D2PAK-7，具有良好的散热性能，同时兼容现有 PCB 设计布局。
5. 高耐压能力（600 V），使其适合多种高压应用场景，如工业电源或电动汽车充电桩。
NSBC123JDP6T5G 广泛应用于需要高性能功率转换的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS），例如服务器电源和通信电源。
2. 功率因数校正（PFC）电路，用于提升交流转直流系统的效率。
3. 快速充电器和无线充电设备，满足消费电子市场对小型化和高效能的需求。
4. 工业电机驱动和太阳能逆变器等大功率转换系统。
5. 电动汽车充电基础设施中的 DC-DC 和 AC-DC 转换模块。
BSC098N06NS5
BSC120N06NS5
GAN041-650WSA
