时间：2025/5/10 12:30:53
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NSB1706DMW5T1G是一款由Nexperia生产的高效、低电容的ESD（静电放电）保护二极管阵列。该器件专为高速信号线提供瞬态电压抑制保护而设计，能够有效防止因静电放电和其他瞬态电压导致的电子设备损坏。它具有超低的电容特性，非常适合用于USB3.1、HDMI2.0等高速数据接口的保护。
此型号采用DFN1006-2 (SOT1149) 封装，体积小巧，非常适合空间受限的应用场景。
工作电压：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电）
最大箝位电压：10V
动态电阻：典型值0.3Ω
负载电容：0.4pF（典型值）
反向漏电流：1μA（最大值，在VR=0V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：DFN1006-2 (SOT1149)
NSB1706DMW5T1G的主要特性包括：
1. 超低电容设计，确保对高速信号的影响降到最低。
2. 高度可靠的ESD防护能力，可承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电。
3. 快速响应时间，能够在瞬间将瞬态电压限制在安全范围内。
4. 小型化封装，非常适合应用于便携式和空间受限的电子产品中。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种严苛环境下的应用需求。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
该元器件广泛应用于需要高速信号保护的领域，例如：
1. USB3.1、USB-C、HDMI2.0、DisplayPort等高速数据接口的ESD保护。
2. 智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其他消费类电子产品的接口保护。
3. 工业控制设备中的信号线路保护。
4. 汽车电子系统中的高速通信链路保护。
5. 网络设备和通信设备中的数据线保护。
PESD10V0H1BSM5T1G,PESD10V0H1BT1G
