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NS12565T4R2NNV 发布时间 时间:2025/12/27 10:26:16 查看 阅读:20

NS12565T4R2NNV是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的高性能、低功耗的同步降压型DC-DC转换器,广泛应用于需要高效电源管理的嵌入式系统和便携式设备中。该芯片采用先进的电流模式控制架构,结合内部补偿设计,能够在宽输入电压范围内实现稳定、高效的电压调节。NS12565T4R2NNV集成了高侧和低侧MOSFET,提供高达6A的持续输出电流能力,适用于多种负载条件下的电源转换需求。其封装形式为紧凑型QFN,有助于节省PCB空间,特别适合对尺寸敏感的应用场景。该器件具备多种保护机制,包括过流保护、过温保护和输出短路保护,确保系统在异常条件下仍能安全运行。此外,NS12565T4R2NNV支持可编程软启动功能,可有效抑制启动时的浪涌电流,提升系统可靠性。得益于其高效率和小尺寸特性,该芯片在工业控制、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域具有广泛的应用前景。

参数

型号:NS12565T4R2NNV
  制造商:ON Semiconductor
  拓扑结构:同步降压(Buck)
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 15V(可调)
  最大输出电流:6A
  开关频率:典型值500kHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(结温)
  封装类型:QFN-20
  控制模式:峰值电流模式
  静态电流:典型值60μA(关断模式下可低于1μA)
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  占空比范围:0% 至 100%
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、输出短路保护
  可编程软启动:支持
  EMI优化:内置展频技术(部分版本支持)

特性

NS12565T4R2NNV采用同步整流技术,显著提升了电源转换效率,尤其是在中高负载条件下,能够达到95%以上的转换效率,有效降低系统热损耗,减少对外部散热措施的依赖。其内部集成的高侧和低侧MOSFET不仅简化了外部电路设计,还减少了外围元件数量,降低了整体BOM成本和PCB布局复杂度。该芯片的电流模式控制架构提供了快速的瞬态响应能力,能够有效应对负载突变带来的电压波动,确保输出电压的稳定性。
  该器件具备宽输入电压范围(4.5V至18V),使其适用于多种供电场景,例如12V系统总线、工业电源轨或电池供电设备。通过外部电阻分压网络,用户可以灵活设置输出电压,最低可调至0.8V,满足现代低电压核心处理器和FPGA等器件的供电需求。此外,芯片内置0.8V精密基准电压源,精度高达±1%,保证了输出电压的长期稳定性和准确性。
  NS12565T4R2NNV集成了全面的保护机制,包括逐周期电流限制、打嗝模式短路保护和热关断功能。当检测到输出短路或过流时,芯片会自动进入打嗝模式,周期性地尝试重启,避免持续过热损坏,同时便于系统诊断故障。过温保护功能在结温超过安全阈值时自动关闭芯片,待温度下降后恢复运行,提升了系统的鲁棒性。可编程软启动功能通过外部电容设定启动时间,有效抑制启动过程中的浪涌电流,防止输入电源跌落或连接器打火。
  该芯片支持轻载高效模式,在低负载或待机状态下自动切换至脉冲跳跃模式(Pulse Skipping Mode),显著降低开关损耗和静态功耗,延长电池供电设备的续航时间。其500kHz的固定开关频率便于滤波器设计,并可在一定程度上平衡效率与外部元件尺寸。QFN-20封装具有优良的热性能和电气性能,适合高密度贴装,适用于空间受限的应用场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。

应用

NS12565T4R2NNV广泛应用于需要高效、高可靠性电源解决方案的各类电子系统中。在工业自动化领域,它常用于PLC控制器、传感器模块和工业HMI设备的电源设计,为其提供稳定的低压供电。在通信基础设施中,该芯片可用于路由器、交换机和基站中的板级电源转换,满足多路低压电源的需求。在消费类电子产品中,如智能电视、机顶盒和家庭网关,NS12565T4R2NNV能够为SoC、内存和接口电路提供高效电源,提升能效等级。
  在汽车电子领域,该芯片适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元等非安全关键应用,其宽输入电压范围和良好的温度适应性能够应对汽车电源环境中的电压波动和高温工况。在医疗设备中,由于其低噪声和高稳定性,可用于便携式监护仪、超声探头模块等对电源质量要求较高的场合。此外,在服务器和数据中心的分布式电源架构中,NS12565T4R2NNV可用于POL(Point-of-Load)转换,为FPGA、ASIC和DDR内存提供高效、紧凑的电源解决方案。
  由于其支持可编程软启动和打嗝模式保护,该芯片也适用于需要高可靠性和故障自恢复能力的远程或无人值守设备,如户外通信节点、智能电表和物联网网关。其高集成度和简化的设计流程使得工程师能够快速完成电源开发,缩短产品上市周期。结合适当的PCB布局和热设计,NS12565T4R2NNV能够在各种严苛环境下长期稳定运行,是现代中功率DC-DC转换应用的理想选择。

替代型号

NCP63265DR2G

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NS12565T4R2NNV参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥6.84507卷带(TR)
  • 系列NS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感4.2 μH
  • 容差±30%
  • 额定电流(安培)5.91 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)9.4A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)15.2 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振41.5MHz
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.492" 长 x 0.492" 宽(12.50mm x 12.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.270"(6.85mm)