NRVUS220VT3G 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于各种功率转换应用。该器件适用于要求高效率和高可靠性的电路设计,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
NRVUS220VT3G 的封装形式为 TO-220,这种封装提供了良好的散热性能,并且易于安装在 PCB 上。此外,该器件还具备出色的雪崩能力和抗静电能力,确保其在恶劣环境下的稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:35nC
总功耗:115W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
NRVUS220VT3G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,减少开关损耗,适用于高频开关应用。
3. 高额定电流能力,支持大功率负载。
4. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持优异的性能。
5. 内置防反向二极管,简化电路设计并提供额外保护。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料,适合绿色产品设计。
NRVUS220VT3G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各种类型的电机驱动器,如步进电机、直流无刷电机等。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 电池充电器和逆变器。
5例如电动助力转向系统 (EPS) 和车身控制模块 (BCM)。
6. 任何需要高效功率切换的应用场景。
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06S