时间：2025/8/13 17:43:37
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NRVUS120VT3G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装肖特基势垒整流器，适用于高效率的电源转换应用。该器件具有低正向压降和快速开关特性，使其非常适合用于高频率整流电路中。NRVUS120VT3G 采用小型SOD-123FL封装，体积小巧，适用于空间受限的设计。该器件的额定正向电流为1A，最大反向电压为20V，适用于多种低电压高效率应用。
器件类型：肖特基二极管
正向电流（IF）：1A
最大反向电压（VR）：20V
正向压降（VF）：典型值0.315V（在1A时）
反向漏电流（IR）：最大500nA（在25°C时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOD-123FL
安装类型：表面贴装
NRVUS120VT3G 的主要特性之一是其低正向压降，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。在1A的正向电流下，典型正向压降仅为0.315V，显著低于传统硅二极管。此外，该器件具有快速的反向恢复时间，通常在10ns以下，使其适用于高频开关应用。
该肖特基二极管采用SOD-123FL封装，尺寸紧凑，适合便携式电子设备和空间受限的PCB布局。其机械强度高，焊接可靠性强，适合自动贴片工艺。NRVUS120VT3G 的最大工作温度范围为-55°C至+150°C，确保其在极端环境下的稳定运行。
该器件还具有出色的热性能，能够在较高的环境温度下正常工作，减少了对额外散热措施的需求。其低漏电流特性（最大500nA）也有助于降低待机功耗，提高系统的能效。NRVUS120VT3G 符合RoHS标准，无铅环保，适用于各种工业和消费类电子设备。
NRVUS120VT3G 广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要高效、低功耗整流的场合。例如，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、便携式设备电源管理电路以及电源适配器中。由于其快速开关特性和低正向压降，NRVUS120VT3G 也适用于高频开关电源和光伏逆变器中的整流部分。
在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，NRVUS120VT3G 可用于优化电源管理，延长电池续航时间。此外，该器件还可用于工业控制系统的电源模块、LED驱动电路以及各类小型电源供应器中。
NRVUS120N, NRVBU2100T1G, NRVBA1100T3G
