NRVTS8100MFST1G 是一款高性能的瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电感负载开关和其他瞬态电压事件的影响。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低电容、快速响应时间以及高浪涌能力等特性,适用于高速数据线和信号线路的保护。
NRVTS8100MFST1G 的封装形式为 SOD-323(SC-89),这种小型化封装非常适合空间受限的应用场景。
型号:NRVTS8100MFST1G
工作电压(VRWM):8.1V
击穿电压(VBR):9.6V
最大箝位电压(VC):16.7V
峰值脉冲电流(IPP):15A
电容(C):14pF
结电容(Cj):14pF
响应时间(typ):1ps
最大反向漏电流(IR):1μA
封装:SOD-323(SC-89)
NRVTS8100MFST1G 具备以下关键特性:
1. 高度可靠,能够承受高达 15A 的峰值脉冲电流,适合各种复杂的电气环境。
2. 极低的结电容(14pF),非常适合高频或高速应用,如 USB、HDMI 和其他高速数据接口。
3. 快速响应时间(1ps),可以迅速抑制瞬态电压尖峰,从而有效保护敏感电路。
4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,便于在紧凑型设备中使用。
6. 可靠地防护 ESD 威胁,达到 IEC 61000-4-2 国际标准的 ±15kV 接触放电和 ±15kV 空气放电要求。
NRVTS8100MFST1G 广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的数据线保护,例如手机、平板电脑、笔记本电脑等。
2. 高速通信接口保护,包括 USB、HDMI、DisplayPort、以太网等。
3. 工业自动化设备中的信号线路保护。
4. 汽车电子系统中的瞬态电压保护,例如车载信息娱乐系统、导航模块等。
5. 医疗设备中的敏感电路保护,确保设备稳定运行。
6. 无线通信设备中的射频前端保护,防止因瞬态电压引起的损坏。
PESD8V0X1B, SM8V0A