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NRVBS240LT3G 发布时间 时间:2025/5/22 22:23:19 查看 阅读:18

NRVBS240LT3G 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS 场效应晶体管(MOSFET),属于 STMicroelectronics 的 VDMOS 功率晶体管系列。该器件主要设计用于高频率开关应用和功率转换场景,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式为 TO-263 (D2PAK),能够提供出色的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:5.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  开关速度:快速开关
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  封装类型:TO-263 (D2PAK)

特性

NRVBS240LT3G 具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中具有较高的效率并减少功率损耗。
  此外,该 MOSFET 还具备较低的栅极电荷(Qg),从而支持高频操作时更少的能量消耗。
  其坚固的设计允许在极端温度范围内运行,并且通过采用 D2PAK 封装,提供了良好的散热性能和机械可靠性。
  该器件还具有雪崩能力,增强了在过载或短路条件下的鲁棒性。

应用

NRVBS240LT3G 广泛应用于需要高效功率管理的场合,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动电路
  - 工业自动化中的负载开关
  - 汽车电子系统中的功率控制
  - 可再生能源设备中的逆变器和控制器

替代型号

IRLB8748PBF, FDP5580N

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NRVBS240LT3G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)40V
  • 电流 - 平均整流 (Io)2A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)430mV @ 2A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2mA @ 40V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装SMB
  • 包装带卷 (TR)