时间：2025/5/22 22:23:19
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NRVBS240LT3G 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS 场效应晶体管（MOSFET），属于 STMicroelectronics 的 VDMOS 功率晶体管系列。该器件主要设计用于高频率开关应用和功率转换场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，能够提供出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：31A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：29nC
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-263 (D2PAK)
NRVBS240LT3G 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中具有较高的效率并减少功率损耗。
此外，该 MOSFET 还具备较低的栅极电荷（Qg），从而支持高频操作时更少的能量消耗。
其坚固的设计允许在极端温度范围内运行，并且通过采用 D2PAK 封装，提供了良好的散热性能和机械可靠性。
该器件还具有雪崩能力，增强了在过载或短路条件下的鲁棒性。
NRVBS240LT3G 广泛应用于需要高效功率管理的场合，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动电路
- 工业自动化中的负载开关
- 汽车电子系统中的功率控制
- 可再生能源设备中的逆变器和控制器
IRLB8748PBF, FDP5580N
