时间：2025/4/30 17:37:10
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NRVB1H100SFT3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的高压、高频 N 沣道晶管 (N-Channel MOSFET)，采用 TO-263-3 封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动器、逆变器以及 DC/DC 转换器等高效率功率转换领域。其卓越的导通电阻和快速开关特性使其在中高功率应用中表现出色。
NRVB1H100SFT3G 的最大额定电压为 100V，具有低导通电阻，有助于减少传导损耗并提升整体系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8.7A
导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
栅极电荷：18nC（典型值）
总电容（Ciss）：2480pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3（D2PAK）
NRVB1H100SFT3G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强可靠性。
4. 优化的 Qg 和 Rds(on) 平衡设计，以实现高效的功率转换。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 支持高温运行，适用于恶劣的工作环境。
7. 出色的热性能，有助于简化散热设计。
NRVB1H100SFT3G 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC/DC 转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 电动工具及家用电器中的功率管理
6. 太阳能逆变器和工业电源
7. LED 驱动器
8. 各类高频功率变换设备
