NRVB140SFT1G是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装形式。这款MOSFET具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种电源管理和功率转换应用。它能够承受较高的漏源电压,同时具备快速的开关性能,确保高效的能量传输和较低的功耗。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率控制的场合。
漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):48A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷(Qg):35nC
总电容(Ciss):3080pF
输入电容(Ciss):3080pF
输出电容(Coss):390pF
反向恢复时间(trr):35ns
工作温度范围:-55℃至175℃
NRVB140SFT1G采用了先进的半导体制造工艺,具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高额定漏源电压,适合多种高压应用场景。
3. 快速的开关速度,减少开关损耗,提升高频工作能力。
4. 优化的热设计,提高了器件在高功率环境下的可靠性。
5. 强大的抗雪崩能力,能够在异常条件下提供更高的安全性。
6. 小巧的封装尺寸,方便PCB布局,节省空间。
NRVB140SFT1G适用于多种电力电子领域中的应用,包括但不限于以下方面:
1. DC-DC转换器:用于升压、降压以及升降压转换电路中,提供高效的功率转换。
2. 开关电源(SMPS):作为主功率开关元件,在AC-DC适配器、充电器等设备中使用。
3. 电机驱动:为直流无刷电机(BLDC)或步进电机提供高效的功率控制。
4. 负载开关:用于动态调整供电状态,保护后端电路免受过流或其他异常情况的影响。
5. 光伏逆变器:参与太阳能发电系统的能量转换过程,提高转换效率。
6. 工业自动化设备:如焊接机、UPS电源等需要大电流处理的应用场景。
IRFZ44N, FDP17N60, NTR4140N