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NRVB140SFT1G 发布时间 时间:2025/7/8 12:25:29 查看 阅读:19

NRVB140SFT1G是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装形式。这款MOSFET具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种电源管理和功率转换应用。它能够承受较高的漏源电压,同时具备快速的开关性能,确保高效的能量传输和较低的功耗。
  该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率控制的场合。

参数

漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  总电容(Ciss):3080pF
  输入电容(Ciss):3080pF
  输出电容(Coss):390pF
  反向恢复时间(trr):35ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

NRVB140SFT1G采用了先进的半导体制造工艺,具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高额定漏源电压,适合多种高压应用场景。
  3. 快速的开关速度,减少开关损耗,提升高频工作能力。
  4. 优化的热设计,提高了器件在高功率环境下的可靠性。
  5. 强大的抗雪崩能力,能够在异常条件下提供更高的安全性。
  6. 小巧的封装尺寸,方便PCB布局,节省空间。

应用

NRVB140SFT1G适用于多种电力电子领域中的应用,包括但不限于以下方面:
  1. DC-DC转换器:用于升压、降压以及升降压转换电路中,提供高效的功率转换。
  2. 开关电源(SMPS):作为主功率开关元件,在AC-DC适配器、充电器等设备中使用。
  3. 电机驱动:为直流无刷电机(BLDC)或步进电机提供高效的功率控制。
  4. 负载开关:用于动态调整供电状态,保护后端电路免受过流或其他异常情况的影响。
  5. 光伏逆变器:参与太阳能发电系统的能量转换过程,提高转换效率。
  6. 工业自动化设备:如焊接机、UPS电源等需要大电流处理的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP17N60, NTR4140N

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NRVB140SFT1G产品

NRVB140SFT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)40V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)550mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 40V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装带卷 (TR)