时间：2025/5/13 8:42:58
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NRVB130T1G是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于高电压和大电流的开关场景，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET适用于多种工业和消费类电子设备，例如电源管理、电机驱动、负载切换以及逆变器等应用领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻：2.7Ω
栅极电荷：18nC
总电容：145pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
NRVB130T1G具备以下关键特性：
1. 高击穿电压，支持高达650V的工作电压，适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻（2.7Ω），有助于减少导通损耗并提升整体能效。
3. 快速开关速度，由于，可实现高效开关操作。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下依然保持可靠的性能。
5. 小封装尺寸，便于集成到紧凑型电路设计中。
该芯片广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
2. 工业设备中的电机控制与驱动。
3. 消费类电子产品中的负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用。
5. LED照明系统的调光和调压控制。
IRF840,
STP12NM65,
FDP18N65,
IXTN12N650
