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NRS8040T150MJGJV 发布时间 时间:2025/5/13 13:01:15 查看 阅读:2

NRS8040T150MJGJV是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,封装形式为TO-263(D2PAK),具备出色的散热性能和电气特性,广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关时间:ton=9ns,toff=18ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
  4. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 可靠性高,经过严格的质量检测和筛选流程。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器的核心功率器件。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 汽车电子中的各类功率控制模块。
  6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。

替代型号

IRFZ44N
  FDP170N15A
  STP40NF15
  IXFN40N15P

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NRS8040T150MJGJV参数

  • 现有数量430现货
  • 价格1 : ¥5.17000剪切带(CT)1,000 : ¥2.18400卷带(TR)
  • 系列NR, S Type
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感15 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)2.4 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)2.9A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)65 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振16MHz
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.157"(4.00mm)