NRS8040T150MJGJV是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,封装形式为TO-263(D2PAK),具备出色的散热性能和电气特性,广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关时间:ton=9ns,toff=18ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
4. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 可靠性高,经过严格的质量检测和筛选流程。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 汽车电子中的各类功率控制模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。
IRFZ44N
FDP170N15A
STP40NF15
IXFN40N15P