电容：47μF
　　额定电压：6.3V DC
　　温度特性：X5R（±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　尺寸（英制）：0603
　　尺寸（公制）：1608
　　电容公差：±20%
　　介质材料：X5R
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　老化率：≤2.5%每十年（典型值）
　　直流偏压性能：在6.3V偏压下，电容保持率约60%-70%（典型）
　　等效串联电阻（ESR）：约5mΩ ~ 15mΩ（频率依赖）
　　等效串联电感（ESL）：典型值低于0.5nH

NRS6045T470MMGK具备优异的电容密度与体积比，在0603小型封装内实现了高达47μF的电容值，极大满足了现代电子产品小型化、轻薄化的设计需求。其采用先进的叠层陶瓷制造工艺，确保内部电极结构的高度一致性，从而提升器件的可靠性与长期稳定性。X5R介质材料赋予其良好的温度稳定性，在-55°C至+85°C范围内电容变化控制在±15%以内，优于X7R和Y5V类材料，适合多数通用去耦场景。该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR），有助于减少电源轨上的纹波电压，提高电源完整性，尤其在高频开关电源系统中表现突出。同时，其等效串联电感（ESL）也控制在较低水平，增强了高频响应能力，使器件能在MHz级频率下仍保持有效滤波性能。
　　该型号在直流偏压下的电容保持率是其关键性能指标之一。尽管MLCC在施加直流电压时会出现电容下降现象，但NRS6045T470MMGK通过优化介电层配方和内部电极设计，在6.3V额定电压下仍能维持约60%以上的初始电容，确保实际应用中的有效滤波能力。此外，其端电极采用镍阻挡层和锡外镀层结构（Ni-Sn），具备良好的可焊性和抗迁移性能，能够承受多次回流焊接过程而不损伤，适用于自动化贴片生产线。产品符合AEC-Q200标准的部分可靠性要求，具备较强的抗热冲击、湿气和机械应力能力，适用于严苛环境下的长期运行。值得一提的是，该器件无磁性材料，不会干扰周边敏感电路，适合用于高精度模拟信号链或射频模块附近的去耦应用。

NRS6045T470MMGK广泛应用于各类需要高效电源去耦和稳定电压供应的电子系统中。在移动通信设备如智能手机、平板电脑中，常用于基带处理器、应用处理器或电源管理芯片（PMIC）的输入/输出滤波，有效抑制电源噪声并提升系统稳定性。在便携式消费类电子产品如蓝牙耳机、智能手表和可穿戴设备中，得益于其小尺寸和高容量特性，能够在有限的PCB空间内实现良好的储能与瞬态响应能力。
　　在工业控制领域，该电容器可用于PLC模块、传感器信号调理电路和嵌入式控制器的电源稳压环节，帮助消除开关噪声和电磁干扰。在计算机及外围设备中，常见于主板上的DDR内存供电域、CPU核心电压调节模块（VRM）以及各类DC-DC降压电路的输出端滤波。此外，在汽车电子系统中，尽管非车规级认证，但仍可用于部分非安全相关的车载信息娱乐系统或辅助电源模块中。
　　由于其良好的高频特性，该器件也可作为高速数字电路中的局部去耦电容，放置在FPGA、ASIC或DSP芯片的电源引脚附近，以降低高频电流环路引起的电压波动。在LED驱动电源、小型开关电源适配器以及物联网（IoT）节点设备中，同样发挥着关键的滤波与能量存储作用，保障系统可靠运行。

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　　 "GRM188R61C476ME99D",
　　 "CL10B476MPTRCH",
　　 "C1608X5R1C476M",
　　 "LCMV1E476MCN",
　　 "EMK107BBJ1C476KD-T"
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