时间：2025/5/9 16:30:38
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NRS6028T101MMGJV是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及负载切换等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并降低功耗。
该器件属于逻辑电平驱动类型，支持较低的栅极驱动电压，非常适合便携式设备和对能效要求较高的应用环境。其封装形式为小型化设计，有助于提高电路板空间利用率。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：28A
导通电阻：1mΩ（典型值）
栅极电荷：35nC（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-Leadless (DFN8)
逻辑驱动电压：4.5V至10V
总功耗：39W
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在满载条件下可显著减少传导损耗。
2. 快速开关速度，有效降低开关损耗并优化电磁干扰性能。
3. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
4. 高雪崩耐量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电子系统中。
6. 支持逻辑电平驱动，简化了驱动电路设计并降低了整体成本。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载切换元件。
4. 电机驱动电路中的功率开关。
5. 各类工业自动化设备中的电源管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效能功率控制单元。
NRS6028T100MMGJU, NRS6028T102MMGJV, IRF7739TRPBF
