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NRS4018T220MDGJV 发布时间 时间:2025/4/30 16:45:29 查看 阅读:6

NRS4018T220MDGJV 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频和高功率密度应用设计。该器件采用先进的封装工艺,能够显著提高开关频率并降低导通损耗,适用于各种电源转换场景。其高耐压性能和低导通电阻使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
  这款芯片主要面向需要高效率、快速响应和小尺寸解决方案的市场,广泛应用于服务器电源、通信设备、工业电源以及消费类电子产品的适配器等领域。

参数

型号:NRS4018T220MDGJV
  类型:增强型 GaN 功率晶体管
  最大漏源电压:650 V
  连续漏极电流:8 A
  导通电阻:160 mΩ
  栅极电荷:30 nC
  反向恢复时间:无
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

NRS4018T220MDGJV 具备以下关键特性:
  1. 高击穿电压(650V),确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(160mΩ),可有效降低传导损耗,提升整体效率。
  3. 快速开关能力,支持高达几兆赫兹的工作频率,非常适合高频应用。
  4. 采用 DPAK 封装,提供优异的热性能和电气连接可靠性。
  5. 内置保护功能,包括过流保护和短路保护,提高系统安全性。
  6. 与传统的硅基 MOSFET 相比,GaN 技术带来更高的功率密度和更小的体积,有助于简化设计并降低成本。

应用

NRS4018T220MDGJV 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 太阳能逆变器
  5. 无线充电模块
  6. 数据中心和电信设备中的高效电源管理
  7. 笔记本电脑及平板电脑适配器
  由于其高性能和高可靠性,该芯片特别适合需要小型化和高效率的应用场景。

替代型号

NRS4018T220MDGJVA, NRS4018T220MDGJVB, NRS4018T220MDGJVC

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NRS4018T220MDGJV参数

  • 现有数量6,982现货
  • 价格1 : ¥3.18000剪切带(CT)3,500 : ¥1.21075卷带(TR)
  • 系列NR, S Type
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感22 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)720 mA
  • 电流 - 饱和 (Isat)900mA
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)348 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振15MHz
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.157" 长 x 0.157" 宽(4.00mm x 4.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.071"(1.80mm)