时间：2025/12/27 9:20:07
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NRS2012T4R7MGJ是一款由松下（Panasonic）生产的表面贴装功率电感器，属于NRS系列。该系列产品专为高电流、小尺寸应用设计，广泛用于DC-DC转换器、电源模块和其他需要高效能储能元件的场合。NRS2012T4R7MGJ的具体型号表明其电感值为4.7μH，允许一定的公差范围，并具备良好的直流电阻（DCR）特性，适合在紧凑型电子设备中实现高效的能量传输和稳定的电源管理。该器件采用多层陶瓷基板与金属合金磁芯材料结合的结构，提供优异的磁屏蔽性能，减少电磁干扰（EMI），同时具备较高的饱和电流和温升电流能力，确保在负载波动时仍能保持稳定工作。
作为一款小型化SMD功率电感，NRS2012T4R7MGJ封装尺寸为2.0mm x 1.2mm，高度低至1.0mm或更低，符合现代便携式电子产品对空间利用的严苛要求，如智能手机、可穿戴设备、平板电脑以及物联网终端等。其结构坚固，具有良好的耐热性和机械强度，能够在回流焊过程中承受高温而不影响电气性能。此外，该电感器还具备出色的频率响应特性和较低的能量损耗，有助于提升整体电源效率并延长电池寿命。
产品系列：NRS
封装尺寸：2012（2.0mm x 1.2mm）
电感值：4.7μH
电感公差：±20%
额定电流（Isat）：约550mA（典型值，基于电感下降30%）
额定电流（Irms）：约500mA（典型值，基于温升40°C）
直流电阻（DCR）：约360mΩ（最大值）
自谐振频率（SRF）：典型值大于50MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
磁屏蔽类型：有屏蔽（闭磁路结构）
安装方式：表面贴装（SMD）
端子材料：贵金属电极，适用于回流焊接
NRS2012T4R7MGJ具备卓越的磁屏蔽设计，采用闭磁路结构的金属复合材料磁芯，有效抑制外部电磁干扰（EMI）并降低漏磁通，使其非常适合在高密度PCB布局中使用。这种屏蔽特性不仅提升了系统的电磁兼容性（EMC），还能避免邻近敏感信号线路受到磁场耦合影响，从而增强整体电路稳定性。其磁芯材料由铁硅铝或其他高性能软磁合金构成，具有较高的磁导率和优异的抗饱和能力，在大电流冲击下仍能维持电感值的稳定，防止因磁饱和导致的电感骤降和电路失效。
该电感器在制造工艺上采用了先进的模压成型技术，将绕组嵌入磁性材料中，形成一体化结构，提高了机械强度和抗震性能，同时增强了散热能力。由于其低剖面设计（高度仅约1.0mm），非常适用于超薄电子设备，例如移动通信模块和微型传感器系统。此外，其端子经过特殊处理，具备优良的可焊性与耐腐蚀性，确保长期使用的可靠性。
在电气性能方面，NRS2012T4R7MGJ拥有较低的直流电阻（DCR），减少了铜损，提高了电源转换效率，尤其在电池供电设备中意义重大。其温升电流和饱和电流指标经过优化平衡，可在不显著升温的前提下承载较大负载电流，满足多数降压型（Buck）或升压型（Boost）DC-DC变换器的需求。自谐振频率较高，通常超过50MHz，保证了在开关电源常用频率范围内（如1-3MHz）的良好表现，避免接近谐振点带来的阻抗突变问题。
NRS2012T4R7MGJ主要用于各类小型化、高效率的直流电源电路中，尤其是在空间受限但对性能要求较高的消费类电子产品中广泛应用。典型应用场景包括智能手机、智能手表、无线耳机等可穿戴设备中的PMU（电源管理单元）滤波电感；便携式医疗设备、TWS耳机充电仓、IoT传感器节点等低功耗系统的DC-DC转换器储能元件；以及各类主板上的电压调节模块（VRM）和负载点电源（POL）设计。
在射频模块和无线通信设备中，该电感也可用作电源去耦和噪声滤波元件，帮助净化供电轨道，提升信号链路的信噪比。由于其良好的高频特性和低EMI辐射，也适用于高速数字处理器件的外围供电网络。此外，在汽车电子中的小型控制模块（如车载传感器、BCM车身控制器）中，若工作环境温度不超过规格限值且电流需求适中，该型号亦可作为辅助电源的滤波电感使用。其SMD封装形式便于自动化贴片生产，支持大规模回流焊接工艺，适合现代高密度SMT组装流程。
NRS2012T4R7MGJ-TK
NRS2012T4R7MTRF
SRN2012-4R7M
XAL2012-4R7ML
