时间：2025/9/9 23:12:45
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NRC10J100TR是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效功率管理的场合。这款MOSFET设计用于在高电流和高频率条件下提供卓越的性能，同时保持较低的导通电阻以减少功率损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.65Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大功耗(Pd)：1.25W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
NRC10J100TR具有低导通电阻，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗，提高效率。该器件还具备快速开关特性，使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。此外，该MOSFET的热稳定性良好，能够在较高温度下稳定工作，确保长期运行的可靠性。其封装形式通常为TO-252（DPAK），便于安装和散热。
该MOSFET的栅极驱动设计允许使用标准逻辑电平进行控制，简化了与数字控制器的接口。同时，其耐用的封装结构和良好的雪崩能量承受能力增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
NRC10J100TR常用于电源管理领域，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。此外，它也适用于电池充电器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和紧凑的封装形式，非常适合空间受限和高效率要求的应用场景。
Si4442DY-T1-GE3, FDS4435, FDD1600N
