NPMN452AC 时间：2025/8/10 14:44:57 阅读：11

NPMN452AC是一款由Nexperia公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种高功率和高效率的电子电路中。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-220，便于安装和散热，适用于多种电源管理、负载开关和DC-DC转换应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：450V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：2A
　　导通电阻(RDS(on))：最大2.5Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220
　　功耗(PD)：50W

特性

NPMN452AC具备多项优越的电气特性和物理特性，适用于高性能电源管理应用。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，延长设备寿命。
　　NPMN452AC采用Trench沟槽技术，使其在相同电压等级下具备更小的芯片面积，从而减小封装尺寸并提升集成度。其高栅极电荷（Qg）特性也确保了快速开关能力，适用于高频开关应用。
　　该器件的封装设计便于安装和焊接，TO-220封装具备良好的散热能力，适合高功率密度的设计需求。同时，NPMN452AC符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的设计要求。

应用

NPMN452AC适用于多种电源管理与功率控制场合，包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、LED照明驱动电路、电机控制电路以及工业自动化设备中的负载开关应用。
　　由于其良好的导通性能和热稳定性，NPMN452AC也常用于高效率的AC-DC适配器、不间断电源(UPS)以及家电控制板中的功率开关电路。此外，在新能源设备如太阳能逆变器和储能系统中也有广泛的应用潜力。