类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-4.1A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：-20V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = -4.5V，50mΩ @ VGS = -2.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP

NPCF204UA0DX具有多项优异的电气和物理特性，确保其在各种应用环境下的稳定性和高效性。首先，该MOSFET具备较低的导通电阻，使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。其RDS(on)值在不同栅极电压下分别达到28mΩ（@ -4.5V）和50mΩ（@ -2.5V），适用于低电压驱动电路，例如由微控制器直接控制的场合。
　　其次，该器件的最大漏极电流为-4.1A，漏极-源极电压额定值为-20V，能够满足大多数中低功率应用的需求。其栅极-源极电压范围为±8V，允许在较宽的控制电压范围内稳定工作，同时具备良好的抗干扰能力。
　　在封装方面，NPCF204UA0DX采用TSOP封装，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。该封装还具备良好的散热性能，有助于提高器件在连续工作状态下的稳定性。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级应用环境，具备较强的环境适应性。
　　该MOSFET的制造工艺采用了先进的沟槽式技术，提升了开关速度和热稳定性，减少了开关损耗，从而提高了整体系统的能效。这些特性使其成为电池管理、负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等应用的理想选择。

NPCF204UA0DX广泛应用于需要高效能和低功耗的电子系统中。其主要应用领域包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理系统，用于控制电池充放电或作为负载开关。在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、继电器替代以及PLC（可编程逻辑控制器）中的功率开关电路。
　　此外，NPCF204UA0DX也适用于DC-DC转换器和同步整流电路，用于提高转换效率并减少发热。在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车载电源管理模块、LED照明驱动以及车载充电器等场景。其低导通电阻和高可靠性的特点，使其成为高能效、小体积设计中的优选器件。
　　由于其TSOP封装的紧凑特性，NPCF204UA0DX特别适合用于需要高密度PCB布局的产品，如智能穿戴设备、物联网（IoT）节点设备以及无人机等新兴应用领域。

Si4435BDY-E3-GE3, FDC6303, BSS84P, AO4407A