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NP8P128AE3T1760E 发布时间 时间:2025/12/27 3:47:04 查看 阅读:46

NP8P128AE3T1760E是一款高性能、低功耗的串行EEPROM存储器芯片,广泛应用于需要非易失性数据存储的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅技术制造,确保了数据的长期可靠性和耐久性。其主要面向工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域,适用于配置信息存储、校准数据保存、用户设置记录等应用场景。该型号由国内知名半导体厂商生产,具有良好的性价比和本地化技术支持优势。
  该芯片封装形式为标准的8引脚小型封装(如SOP-8或TSSOP-8),便于在空间受限的PCB设计中使用。工作电压范围通常为1.7V至5.5V,兼容多种电源环境,适合电池供电和宽电压输入的应用场景。内置写保护机制,防止因误操作或电源波动导致的数据损坏。同时支持页面写入和字节写入模式,提升了写入灵活性与效率。通过I2C通信接口进行数据传输,兼容标准(100kHz)、快速(400kHz)和高速(1MHz以上)模式,满足不同系统对通信速率的需求。

参数

型号:NP8P128AE3T1760E
  容量:128 Kbit (16 K × 8)
  接口类型:I2C(2线串行接口)
  工作电压:1.7V ~ 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  时钟频率:最高支持1 MHz(高速模式)
  写入耐久性:1,000,000次擦写周期
  数据保持时间:100年
  封装形式:TSSOP-8
  写保护功能:硬件写保护引脚(WP)
  地址选择:通过A0、A1、A2引脚设置设备地址
  自定时写入周期:典型5ms
  低功耗模式:待机电流<5μA,工作电流<3mA

特性

NP8P128AE3T1760E具备出色的电气稳定性和抗干扰能力,特别适用于电磁环境复杂的工业现场。其内部集成了上电复位(Power-on Reset)电路,确保在电源上升过程中自动初始化内部逻辑,避免异常操作。此外,芯片内置VCC监控电路,在电源电压低于安全阈值时自动禁止写入操作,有效防止因电压不稳造成的存储数据损坏。
  该器件支持多达8个可选的I2C设备地址,通过外部A0、A1、A2引脚的电平配置实现多片级联,极大提升了系统扩展能力。每个地址对应一个独立的设备标识,允许多达8个相同型号的EEPROM挂载在同一I2C总线上,方便构建大容量或模块化存储系统。
  在写入性能方面,NP8P128AE3T1760E支持页写入模式,每页可写入最多64字节数据,显著提高批量写入效率。同时具备自定时写入周期控制功能,无需主控MCU轮询状态,简化了软件设计。写入完成后自动进入待机状态,降低整体功耗。
  安全性方面,除了硬件写保护引脚外,还支持写锁定(Write Lock)功能,可通过命令序列永久锁定特定存储区域,防止关键数据被篡改。这一特性在固件版本信息、设备序列号、加密密钥等敏感数据存储中尤为重要。
  生产工艺上采用高可靠性浮栅技术,经过严格的出厂测试,确保每颗芯片都达到标称的百万次擦写寿命和百年数据保持能力。所有产品均符合RoHS环保要求,并通过了工业级温度验证,适用于严苛环境下的长期运行。

应用

该芯片广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的场合。在工业自动化领域,常用于PLC控制器、传感器模块中存储校准参数、运行日志和设备配置信息;在消费类电子产品中,如智能家电、蓝牙耳机、可穿戴设备,用于保存用户偏好设置、配对记录和设备状态信息。
  在通信设备中,NP8P128AE3T1760E可用于光模块、路由器和交换机中存储设备标识、MAC地址、增益补偿系数等关键数据,配合I2C总线实现快速读取与更新。
  汽车电子系统也是其重要应用方向,例如车载音响、仪表盘、ECU控制单元中,用于记录里程信息、驾驶习惯设置、故障码存储等。其宽温工作能力和高抗干扰性能满足车规级应用的基本需求。
  此外,在医疗设备、仪器仪表、POS终端、智能家居网关等设备中,该芯片也扮演着重要的数据存储角色。得益于其小封装、低功耗和高可靠性,非常适合对体积和能耗敏感的设计方案。
  对于开发人员而言,该芯片与主流MCU(如STM32、NXP LPC、Silicon Labs系列)兼容良好,配套有完整的驱动示例和应用笔记,可加速产品开发进程。

替代型号

AT24C128C-SSHM-T
  M95128-DRMN6TP
  CAT24C128WI-GT3
  FM24C128A-GTR

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NP8P128AE3T1760E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Omneo?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式PCM(PRAM)
  • 技术PCM(PRAM)
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口并联,SPI
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页135ns
  • 访问时间135 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-TBGA
  • 供应商器件封装64-EasyBGA(8x10)