NP84N04MHE 时间：2025/6/29 15:05:31 阅读：3

NP84N04MHE 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其额定电压为 40V，适用于各种功率转换和电机驱动应用，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
　　该芯片广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。由于其卓越的电气特性和可靠性，NP84N04MHE 成为了设计工程师在需要高效功率管理方案时的优选器件。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：36A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　栅极电荷：7nC
　　开关速度：15ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

NP84N04MHE 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗。
　　2. 高速开关能力，适合高频应用。
　　3. 良好的热稳定性和散热性能，保证长时间可靠运行。
　　4. 小型化封装，节省 PCB 空间。
　　5. 提供过温保护和短路保护功能，增强系统安全性。
　　6. 宽工作温度范围，适应恶劣环境条件。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。

应用

NP84N04MHE 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. 工业自动化设备中的负载开关。
　　4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
　　5. 汽车电子系统中的逆变器和继电器替代。
　　6. 通信基站中的功率调节模块。
　　7. 其他需要高效功率切换的应用场景。