类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：55A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值 0.0022 Ω（典型值 0.0018 Ω）
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）

NP80N055DLE 具备一系列优异的电气和热性能特性，适合高功率和高效率的应用场景。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作时的最小功率损耗，提高了整体系统效率。该器件的 Rds(on) 最大值仅为 0.0022 Ω，在同类产品中具有较强竞争力。
　　其次，该 MOSFET 采用了 Nexperia 的先进 Trench 技术，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗。这对于现代电源设计中提高效率、减小体积至关重要。
　　此外，NP80N055DLE 采用 DPAK 封装，具备良好的散热性能，能够适应较高的工作温度环境。其最大工作温度可达 175°C，适用于高温环境下的工业和汽车电子应用。
　　该器件还具备良好的短路和过热保护能力，增强了系统稳定性和可靠性。其栅极设计支持快速开关，减少开关时间，从而进一步提升效率并降低电磁干扰（EMI）。
　　最后，该 MOSFET 的高电流承载能力（55A 连续漏极电流）使其能够胜任大功率 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等应用。

NP80N055DLE 主要应用于需要高效率、高功率密度的电子系统中。
　　在电源管理领域，该器件广泛用于同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关电路中，用于提高转换效率并降低功率损耗。
　　在汽车电子中，该 MOSFET 可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）和电池管理系统（BMS）等关键部件中，满足高温、高可靠性的要求。
　　此外，NP80N055DLE 也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电机驱动电路等场景，提供稳定、高效的功率控制能力。
　　由于其快速开关特性和低导通电阻，该器件也常用于高频率开关电源（SMPS）和 LED 照明驱动电路中，以提高整体系统效率和可靠性。

SiR862DP-T1-GE3, FDS8858, IPB055N08N3GKSA1, NVTFS5C471NLTDG