NP52N06SLG 时间：2025/6/20 23:31:53 阅读：4

NP52N06SLG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SuperSOT-3 超小型封装。该器件主要应用于低电压、高效率开关应用中，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合在便携式设备和其他对空间有严格要求的应用场景中使用。
　　这款功率 MOSFET 提供了出色的开关性能和热稳定性，同时其超小尺寸使其成为高密度设计的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：4.8A
　　最大栅源电压：±10V
　　导通电阻（典型值）：90mΩ
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃
　　封装类型：SuperSOT-3

特性

NP52N06SLG 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频 PWM 应用。
　　3. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
　　4. 静电放电 (ESD) 保护能力较强，提升产品可靠性。
　　5. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
　　6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。

应用

NP52N06SLG 广泛用于以下应用场景：
　　1. 手机和平板电脑中的负载开关。
　　2. 电池供电设备中的电池保护电路。
　　3. 开关电源适配器及 DC-DC 转换模块。
　　4. 电机驱动和 LED 驱动控制。
　　5. 可穿戴设备和物联网 (IoT) 设备中的功率管理单元。
　　6. 便携式医疗设备中的功率开关。