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NP36P06SLG-E1-AY 发布时间 时间:2025/12/24 5:44:09 查看 阅读:52

NP36P06SLG-E1-AY是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流承载能力,可有效降低功耗并提高系统效率。此外,其封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在紧凑型设计中使用。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,支持快速开关操作,并且具备出色的热性能,适用于各种便携式设备及工业控制场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT-23

特性

1. 极低的导通电阻确保高效的电力传输,减少发热现象。
  2. 高速开关能力,适合高频电路设计。
  3. 良好的电气稳定性和抗干扰能力,能够在复杂电磁环境下正常运行。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间,简化布局布线过程。
  5. 广泛的工作温度区间适应多种极端环境下的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保无害。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
  5. 各类消费电子产品的负载管理模块。
  6. 工业自动化控制系统中的信号隔离与功率放大环节。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDMQ8207

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NP36P06SLG-E1-AY参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3200pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252(MP-3ZK)
  • 包装带卷 (TR)