NP32N055SDE 是一款高性能的 N 河道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种需要高效率和低功耗的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备极低的导通电阻以及快速的开关特性,适用于电源管理、电机驱动、负载切换以及其他高频开关应用。此外,它具有出色的热性能和电气性能,能够有效提升系统的整体效率。
型号:NP32N055SDE
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 VDS:55V
最大栅源电压 VGS:±20V
最大连续漏电流 ID:32A
最大脉冲漏电流 IXP:160A
导通电阻 RDS(on):2.2mΩ @ VGS=10V
总栅极电荷 QG:78nC
输入电容 Ciss:2790pF
输出电容 Coff:430pF
反向传输电容 Crss:70pF
结温范围 Tj:-55℃ 至 +175℃
NP32N055SDE 的主要特点是其极低的导通电阻(RDS(on))和优化的开关性能,使得其在高频工作条件下表现出极高的效率。
1. 低导通电阻:2.2mΩ(@ VGS=10V),有助于减少导通损耗。
2. 快速开关性能:得益于较低的栅极电荷和优化的寄生电容设计,适合高频应用。
3. 高电流承载能力:额定连续漏电流为 32A,可满足大功率需求。
4. 良好的热性能:具备较高的热稳定性,能够承受高达 175℃ 的结温。
5. 小型封装:通常采用行业标准的 TO-247 或 D2PAK 封装,节省空间且便于散热设计。
6. 可靠性高:符合 AEC-Q101 标准,确保在严苛环境下长期稳定运行。
NP32N055SDE 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器,提供高效能的功率控制。
2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电动机控制。
3. 工业设备:如伺服系统、逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 汽车电子:如电动车窗、座椅调节和电池管理系统(BMS)。
5. 负载切换:用于保护电路免受过流和短路的影响。
6. 其他高频功率转换应用:例如 LED 驱动器和太阳能逆变器。
IPW30R2H05PFG,
STP32NM50N,
IRLB8729TRPBF