时间：2025/6/30 18:28:41
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NP2060G-N-G 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用 TO-252 封装形式，具备低导通电阻和高电流承载能力的特点，能够在高频开关应用中提供高效的性能表现。
该型号具有出色的热稳定性和可靠性，适用于工业及消费类电子设备中的多种场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
开关时间：开启时间 25ns / 关断时间 18ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252
NP2060G-N-G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），可以有效降低功率损耗并提升整体效率。
2. 高速开关性能，其开启和关断时间分别仅为 25ns 和 18ns，非常适合高频应用。
3. 出色的热稳定性，能够承受高达 175°C 的结温环境。
4. 栅极电荷较低（19nC），有助于减少驱动功耗。
5. TO-252 封装设计使其易于集成到各种电路板中，同时提供良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料确保长期使用的安全性。
NP2060G-N-G 可用于以下典型应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流管。
2. 电机驱动器中的 H 桥控制元件。
3. 电池管理系统中的负载切换开关。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 照明驱动器中的关键功率开关元件。
6. 各种需要高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N, FDP5580, STP13NF06L
