时间：2025/12/27 10:58:01
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NP04SZB3R3N是一款由Littelfuse公司生产的瞬态抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护高速数据接口和敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件属于NanoTVS系列，采用先进的半导体工艺制造，具有极低的电容、快速响应时间和高可靠性，适用于对信号完整性要求较高的应用场景。NP04SZB3R3N集成了多个TVS二极管，可同时保护多条信号线路，广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统中。其小型化封装不仅节省了PCB空间，还便于在高密度布局中使用。该器件符合RoHS和无卤素等环保标准，并通过了IEC 61000-4-2 Level 4（±15kV空气放电，±8kV接触放电）等关键ESD标准认证，确保在严苛电磁环境中仍能提供稳定可靠的保护性能。
型号：NP04SZB3R3N
类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
通道数：4通道
工作电压（VRWM）：3.3V
击穿电压（VBR）：最小4.0V，典型值4.3V
最大钳位电压（VC @ IPP）：10V（IPP = 1A）
峰值脉冲电流（IPP）：1A（每通道）
电容值（Cj）：最大0.4pF（典型值0.3pF）
漏电流（IR）：最大1μA
ESD耐受能力：IEC 61000-4-2 Level 4，±15kV空气放电，±8kV接触放电
反向工作电压：3.3V
封装形式：Ultra MIniMELF（UMD3）
引脚数：6
极性结构：双向
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
NP04SZB3R3N的核心特性之一是其超低结电容，典型值仅为0.3pF，最大不超过0.4pF，这一特性使其非常适合用于高速数据传输线路的保护，例如USB 2.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口以及RF天线等高频信号路径。在这些应用中，过高的寄生电容会导致信号衰减、反射和失真，从而影响系统性能。NP04SZB3R3N凭借其极低的电容，在不影响信号完整性的前提下实现了高效的瞬态保护。此外，该器件采用双向二极管结构，能够有效抑制正负极性的瞬态电压冲击，适用于交流或双极性信号线路。
另一个重要特性是其优异的ESD防护能力。根据IEC 61000-4-2国际标准，NP04SZB3R3N可承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电，满足最严格的工业级ESD防护需求。这使得它成为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他手持设备中理想的ESD保护解决方案。其快速响应时间小于1纳秒，能够在瞬态电压出现的瞬间迅速导通并将能量泄放到地，防止下游IC受到损坏。
该器件采用Ultra MiniMELF（也称UMD3或SOD-962）封装，尺寸极为紧凑，典型封装尺寸约为1.0mm x 0.6mm x 0.5mm，适合高密度贴装和空间受限的应用场景。尽管体积小，但其热性能和机械稳定性表现良好，支持回流焊工艺，并具备良好的长期可靠性。此外，NP04SZB3R3N具有低漏电流特性（最大1μA），在正常工作条件下几乎不消耗额外功耗，有助于提升系统的能效表现。该产品符合RoHS指令和无卤素要求，适用于绿色环保电子产品设计。
NP04SZB3R3N主要应用于需要高水平静电放电（ESD）保护的高速、低电压电子接口。其典型应用包括便携式消费类电子产品中的USB 2.0高速数据线保护，尤其是Type-A、Micro-USB和USB-C接口的数据引脚，能够有效防止用户插拔过程中产生的静电损伤主控芯片。此外，该器件也广泛用于智能手机和平板电脑中的音频耳机插孔、触摸屏控制器信号线、摄像头模组接口以及SIM卡/TF卡槽等易受外部ESD侵入的部位。
在通信领域，NP04SZB3R3N可用于以太网PHY接口、RS-485、CAN总线等差分信号线路的次级保护，配合其他过压保护器件共同构建完整的系统级防护方案。由于其低电容特性，也可用于射频前端模块中的天线开关或调谐电路保护，避免人体接触或环境干扰引发的静电击穿。
工业控制与汽车电子中，虽然该器件额定功率较小，不适合用于大能量浪涌保护，但在车载信息娱乐系统（IVI）的辅助接口、诊断端口或传感器信号调理电路中仍可发挥重要作用。此外，医疗设备中对外接探头或接口的ESD防护也有潜在应用价值，尤其是在便携式监护仪、血糖仪等人机交互频繁的设备中。
总之，凡是存在高速信号传输且面临ESD风险的场合，NP04SZB3R3N都能提供可靠、透明且高效的保护机制，确保系统稳定运行并延长产品寿命。
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"PESD4USB3BV2",
"ESD5454BDUK",
"TPD4EUSB30DPYR",
"NUP4114UL",
"SP4032UN3"
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