时间：2025/12/27 10:23:52
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NP04SZB1R0N是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路中的过电压保护。该器件属于表面贴装型（SMA封装），适用于需要紧凑布局和高效能保护的电子设备中。其设计目标是为敏感电子元件提供快速响应的浪涌保护，尤其是在遭遇静电放电（ESD）、雷击感应或开关瞬变等瞬态过电压事件时，能够迅速将多余能量泄放到地，从而保护后级电路不受损害。该器件具有低箝位电压、高脉冲吸收能力以及优良的可靠性，广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子等领域。由于其单向击穿特性，NP04SZB1R0N在正常工作状态下呈现高阻抗状态，不影响原电路运行；当电压超过其击穿阈值时，立即导通并将电压限制在安全范围内，确保被保护器件的安全。
器件型号：NP04SZB1R0N
制造商：Littelfuse
产品类型：TVS二极管
封装/外壳：SMA（DO-214AC）
极性：单向
击穿电压（V_BR）：1.07 V（典型值）
反向待机电压（V_RWM）：0.85 V
钳位电压（V_C）：1.5 V（最大值，Ipp = 1A）
峰值脉冲电流（Ipp）：30 A（最大值）
峰值脉冲功率（Ppp）：600 W（8/20 μs电流波形）
漏电流（IR）：小于1 μA（在V_RWM下）
响应时间：皮秒级（典型TVS特性）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
NP04SZB1R0N具备卓越的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内响应高达600W的峰值脉冲功率，适用于对电压波动极为敏感的应用场景。其核心优势之一是超低的击穿电压（约1.07V），使其特别适合用于保护低电压逻辑电路，例如USB接口、SD卡插槽、传感器信号线以及移动设备中的基带处理器等。这种低电压触发机制确保在电源电压略高于常规水平时即可启动保护，防止微小过压造成累积性损伤。
该TVS二极管采用SMA表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，同时具备良好的散热性能和机械稳定性。其单向结构设计允许在直流电路中使用，尤其适用于正向供电线路的保护。与传统的齐纳二极管相比，NP04SZB1R0N不仅响应速度更快（达到皮秒级别），而且能承受更高的瞬态能量冲击，显著提升了系统的长期可靠性。
此外，该器件具有极低的漏电流（小于1μA），在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外电流，有利于延长电池供电设备的续航时间。其稳定的钳位电压（最大1.5V）可在大电流浪涌期间有效限制输出电压，避免下游IC因过压而损坏。材料方面符合RoHS指令要求，并通过了无卤素认证，满足现代绿色电子产品的环保标准。在高温环境下（最高+150°C结温），仍能保持稳定的电气性能，适合在恶劣工况下长期运行。
NP04SZB1R0N常用于各类便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于保护低压数据线和电源轨免受ESD和电快速瞬变（EFT）的影响。其典型应用场景包括USB 2.0/3.0数据线保护、HDMI接口、音频耳机插孔、SIM卡槽以及LCD偏压电路等。在工业领域，可用于PLC输入输出端口、传感器信号调理电路的浪涌防护。在汽车电子中，适用于车载信息娱乐系统、摄像头模块和CAN总线接口的静电保护。此外，由于其快速响应和高可靠性，也广泛应用于无线通信模块、Wi-Fi天线馈线保护以及物联网终端设备中，确保复杂电磁环境中信号传输的完整性与安全性。
SMBJ1.0A
TPD1E10B09DPYR
ESD9X1.0ST5G
