时间：2025/5/30 22:55:15
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NOIP1FN1300A-QTI 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 场效应晶体管 (MOSFET)，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效提升电路效率并减少能量损耗。
该型号由知名半导体厂商生产，其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术 (SMT) 的应用需求。
最大漏源电压：130V
连续漏极电流：7.6A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：28nC
开关时间：ton=9ns, toff=12ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 使其在大电流应用中表现出色，能显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力确保了其适用于高频开关电源设计。
3. 具备优异的热稳定性，在极端温度环境下仍能保持可靠性能。
4. 封装形式紧凑，便于集成到小型化和高密度的设计中。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
5. 各类工业自动化设备中的负载切换控制。
NOIP1FN1200A-QTI, IRFZ44N, AO3400
