NNSW108T-S1 时间：2025/6/26 12:17:50 阅读：5

NNSW108T-S1 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它专为低导通电阻和高效率开关应用而设计，适用于广泛的电源管理和功率转换场景。该器件采用小型化封装，能够提供出色的热性能和电气特性，适合对空间要求严格的电路设计。
　　这款 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用领域，因其低导通电阻和快速开关能力而备受青睐。

参数

型号：NNSW108T-S1
　　类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　Vds（漏源电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
　　Id（持续漏电流）：68A
　　Vgs(th)（阈值电压）：1.2V~2.2V
　　栅极电荷（Qg）：17nC
　　工作温度范围：-55℃~175℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

NNSW108T-S1 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，仅为 4.5mΩ（典型值），这使得其在高电流应用中表现出极高的效率。同时，其快速开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频开关电路。
　　该器件的工作结温范围为 -55℃ 至 +175℃，具备良好的高温稳定性。此外，它的 TO-252 封装不仅体积小，还具有优良的散热性能，可以满足紧凑型设计的需求。
　　由于其 Vgs(th) 阈值电压较低（1.2V 至 2.2V），该 MOSFET 可以轻松与低压逻辑信号兼容，从而简化了驱动电路设计。

应用

NNSW108T-S1 广泛应用于需要高效功率切换的场合，例如：
　　- 开关电源（SMPS）中的同步整流
　　- 降压或升压 DC-DC 转换器
　　- 笔记本电脑和智能手机中的负载开关
　　- 工业设备中的电机驱动
　　- 电池保护和管理系统中的开关元件
　　由于其卓越的性能和可靠性，这款 MOSFET 在消费电子、工业自动化和汽车电子等领域都得到了广泛应用。