时间：2025/8/18 7:34:00
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NN12068A-VB 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理应用。该器件采用 TSSOP 封装，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。NN12068A-VB 特别适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电机控制以及电池供电设备中的功率管理电路。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.8A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=4.5V, 30mΩ @ VGS=2.5V
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TSSOP
NN12068A-VB 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。在 VGS=4.5V 时，RDS(on) 典型值为 22mΩ，在 VGS=2.5V 时则为 30mΩ，这种特性使其适用于低电压驱动电路，例如由微控制器直接控制的场合。
此外，NN12068A-VB 采用 TSSOP 封装，具有良好的热管理能力，能够在有限的空间内实现高效的散热。该封装也适用于自动化贴片生产，提高了制造效率。
NN12068A-VB 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。例如，在电池供电设备中，该器件可用作负载开关或电源管理模块，以降低静态电流并延长电池寿命。在 DC-DC 转换器中，NN12068A-VB 可用于同步整流，提高转换效率并减少热量产生。
Si2302DS, AO3400A, BSS138K
