NMP437C036 时间：2025/9/11 17:38:32 阅读：19

NMP437C036 是一种高压、高电流的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于需要高效能功率转换和控制的电子系统中。这款MOSFET由Nexperia（安世半导体）制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性。NMP437C036 采用Trench沟槽技术，能够提供更高的效率并减少功率损耗，适用于诸如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：最大36mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：DFN（双扁平无引脚封装）
　　功率耗散(Pd)：100W

特性

NMP437C036 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为36mΩ，这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件支持高达20A的连续漏极电流，适用于需要高负载能力的功率转换电路。其最大漏源电压为100V，可承受较高的电压应力，适用于多种电源管理场景。
　　NMP437C036采用了先进的Trench沟槽技术，提升了导通性能的同时也增强了热稳定性，使其在高温环境下仍能保持良好的工作状态。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，减少了因栅极过电压而损坏的风险，提高了器件的可靠性。
　　采用DFN封装形式，不仅减小了PCB空间占用，还具备优良的热管理性能，有助于快速散热，确保器件在高功耗条件下的稳定运行。
　　其工作温度范围为-55°C至175°C，适应于各种严苛的工业和汽车应用环境。

应用

NMP437C036 被广泛应用于各种高功率和高效率要求的电子系统中，例如：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电机控制、电池充电器和工业自动化设备。由于其优异的导通性能和高耐压特性，该器件特别适合用于需要高效能功率转换的场合，如服务器电源、通信设备电源模块以及新能源汽车的功率控制系统等。此外，其紧凑的DFN封装形式也使其成为空间受限应用的理想选择。