NMP4370831 时间：2025/9/12 10:56:38 阅读：16

NMP4370831 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能、高可靠性MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛用于电源管理、功率转换和负载开关等应用。该器件采用先进的工艺制造，具备优异的导通电阻和开关性能，能够在高电流和高频率条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：6.7A（在VGS = 10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：约18mΩ（在VGS = 10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.1V ~ 2.5V
　　最大功耗（PD）：2.5W
　　封装形式：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

NMP4370831 具备多项优良特性，使其适用于各种高效率电源管理系统。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该MOSFET支持较高的栅极驱动电压（如10V），确保在高电流条件下仍能保持良好的导通状态。此外，其栅极阈值电压范围较宽，适应不同控制电路的设计需求，提升了设计的灵活性。
　　该器件的封装形式为TSOP，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。其工作温度范围宽，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和便携式设备等应用。
　　NMP4370831 还具备优异的开关性能，导通和关断时间短，降低了开关损耗，有助于提高系统的工作频率和响应速度。同时，该器件具有较高的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和耐用性。