时间：2025/9/14 13:28:22
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NMB2227AH 是一颗由Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TSSOP8（也称为DFN1006BD-8）封装形式，适用于需要高效率和小尺寸设计的应用场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：20V
最大漏极电流(ID)：5.6A（连续）
导通电阻(RDS(on))：典型值为15mΩ @ VGS=4.5V
栅极阈值电压(VGS(th))：0.4V ~ 1V
最大功耗(PD)：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP8 / DFN1006BD-8
NMB2227AH 采用先进的Trench沟槽技术，实现了非常低的导通电阻和优秀的开关性能，有助于提高能效并减少发热。其小型化的TSSOP8封装不仅节省空间，还支持高密度PCB布局。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，可在高负载条件下保持稳定运行。
器件内部结构优化了寄生电容，使得开关损耗（如Eon和Eoff）大幅降低，非常适合高频应用。此外，NMB2227AH在VGS=1.8V时即可实现部分导通，支持低压驱动电路设计，适用于现代低功耗系统中的电源管理需求。
该器件还具备较高的耐用性和可靠性，符合AEC-Q101汽车级认证标准，可广泛用于汽车电子、工业控制和便携式设备中。
NMB2227AH 常用于各类电源管理系统，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电池充电与管理系统、负载开关以及电机控制电路等。由于其支持低电压驱动，也适用于基于FPGA或DSP的数字电源系统。此外，在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、传感器电源管理等场景。
Si2302DS, BSS138K, NVTFS5C471NL, NMB2227AM
