时间：2025/8/24 22:01:48
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NM95HS02N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和快速开关特性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：连续20A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为27毫欧（@VGS=10V）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
NM95HS02N具有低导通电阻，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力使其适用于多种高电压应用场景。
该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供良好的热稳定性和高电流处理能力。此外，其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频操作环境。
器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。内置的体二极管也提供了反向电流保护，适用于电机驱动和感性负载控制。
由于其优异的热性能，NM95HS02N可在高环境温度下稳定工作，适合工业级应用需求。
NM95HS02N常用于电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源逆变器以及各种高功率电子设备中。
Si9540DY, FDS6680, IRFZ44N
