类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　最大工作频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同的工作条件）
　　封装类型：SOT-89
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

NM95HS02EM8 晶体管具备多项优异的电气特性，适合在高频环境中使用。其高截止频率（fT）为 250 MHz，使其在射频放大和高频信号处理方面表现出色。此外，该器件具有较低的噪声系数，非常适合用于低噪声放大器（LNA）设计。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，这取决于集电极电流的大小，使其在不同的应用条件下都能保持良好的放大性能。同时，其最大集电极-发射极电压为 30 V，最大集电极电流为 100 mA，能够在相对较高的电压和电流下工作，具有一定的功率处理能力。
　　采用 SOT-89 封装形式，使得 NM95HS02EM8 具有较好的热性能和机械稳定性，便于在 PCB 上安装和使用。该封装还具有较小的寄生电容，有助于提升高频性能。
　　此外，该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明其具有良好的热稳定性，适用于各种严苛环境下的电子设备。

NM95HS02EM8 主要应用于射频和高频电子电路中，包括无线通信设备、FM 收音机调谐器、射频放大器、低噪声放大器（LNA）、混频器、振荡器等。在无线通信系统中，该晶体管常用于前端信号放大，以提高接收灵敏度和信号质量。
　　此外，由于其良好的高频特性和低噪声性能，NM95HS02EM8 也广泛用于广播接收设备、蓝牙模块、Wi-Fi 模块、GPS 接收器等无线模块中。在这些应用中，该晶体管能够有效放大微弱的射频信号，同时保持较低的噪声引入，从而提高系统的整体性能。
　　在消费类电子产品中，NM95HS02EM8 也常用于音频放大电路、信号调制电路以及各种需要高频响应的电子系统中。

BCX56-10, 2N3904, BFQ56, 2SC3355