NM302ER 时间：2025/8/2 5:22:49 阅读：30

NM302ER是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于各种高频率开关应用。NM302ER通常用于电源转换器、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A（在25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大为4.5mΩ（在VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）等

特性

NM302ER具有多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，NM302ER的高电流处理能力和耐压性能使其适用于高功率密度设计。该器件采用热增强型封装技术，有助于提高散热效率，确保在高温环境下稳定运行。
　　其栅极驱动电压范围宽广，支持常见的10V到12V驱动电路，方便集成到不同的功率系统中。NM302ER还具备良好的短路耐受能力，增强了系统的鲁棒性。此外，该MOSFET具有快速开关特性，支持高频率操作，适用于高效率的开关电源设计。
　　由于其高可靠性和稳定的电气性能，NM302ER在工业、汽车电子、通信设备和消费类电子产品中广泛应用。该器件的封装形式多样，适应不同的PCB布局需求，简化了设计过程。