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NM27LV010V250 发布时间 时间:2025/8/25 4:11:05 查看 阅读:9

NM27LV010V250是一款由美国国家半导体(National Semiconductor)公司生产的1Mbit(128K x 8)低电压可擦除可编程只读存储器(Flash Memory)。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要非易失性存储器的各种应用场合。NM27LV010V250的供电电压范围为2.7V至3.6V,适合用于便携式设备和电池供电系统。该芯片采用52引脚PLCC封装,具有标准的并行接口,便于与各种微处理器和控制器连接。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:128K x 8
  工作电压:2.7V - 3.6V
  访问时间:最大250ns
  封装类型:52引脚PLCC
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行接口(8位数据总线)
  读取电流:典型值10mA
  待机电流:最大3mA
  擦写周期:可承受至少10,000次擦写
  数据保持时间:至少10年

特性

NM27LV010V250具备多项高性能特性,首先其低电压设计(2.7V至3.6V)使其适用于电池供电设备和低功耗应用。该芯片的访问时间为250ns,能够满足大多数嵌入式系统对速度的要求。其采用标准的8位并行接口,便于与微处理器、控制器或其他数字系统集成。NM27LV010V250支持片上擦除和编程操作,允许用户在系统中更新存储的数据,而不必将其从电路板上移除。
  此外,该芯片具备良好的耐用性和数据保持能力,可承受至少10,000次擦写周期,并能在断电情况下保持数据至少10年。其低功耗特性在待机模式下尤为突出,最大待机电流仅为3mA,有助于延长便携设备的电池寿命。NM27LV010V250还具备较高的可靠性,在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内稳定工作,适用于各种严苛环境下的应用。
  该芯片内置的命令寄存器允许用户通过标准总线接口执行擦除、编程和查询操作,简化了系统软件设计。同时,它还具备数据保护机制,防止因意外写入而导致数据丢失或损坏。

应用

NM27LV010V250广泛应用于需要非易失性存储器的各种嵌入式系统中。其低功耗和低电压特性使其非常适合用于便携式设备,如手持终端、个人数字助理(PDA)、无线通信设备和电池供电的测量仪器。在工业控制领域,该芯片可用于存储固件、校准数据和系统配置信息。NM27LV010V250也可用于通信设备,如路由器、交换机和调制解调器,以存储启动代码和配置参数。
  由于其标准的并行接口设计,NM27LV010V250可轻松集成到基于微处理器或微控制器的系统中,例如工业自动化设备、智能卡读写器、医疗仪器和消费电子产品。在汽车电子系统中,该芯片可用于存储车载控制单元(ECU)的程序和数据。此外,NM27LV010V250还可用于测试设备、数据记录器和安全监控系统等需要可靠非易失性存储的场合。

替代型号

AMD Am29LV010B, SST39SF010A, ST M29W010V

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