类型：N 沟道 MOSFET
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（VDS）：50 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.8 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：7 A
　　最大导通电阻（RDS(on)）@ VGS = 10 V：35 mΩ
　　最大导通电阻（RDS(on)）@ VGS = 4.5 V：50 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：500 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：190 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：18 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOT23

NM-SF50+ 具备出色的电气性能和热稳定性，得益于 Nexperia 先进的 TrenchMOS 技术，该器件实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其 RDS(on) 在 VGS = 10 V 时仅为 35 mΩ，在 VGS = 4.5 V 时也仅达到 50 mΩ，这意味着即使在较低的驱动电压下，它也能保持较高的效率，适用于现代低压数字逻辑直接驱动的应用场景。这种低导通电阻有助于减少传导损耗，提高整体系统能效，尤其在电池供电设备中显得尤为重要。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为 8 nC，这使得它能够在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流 DC-DC 转换器或 PWM 控制电路中，能够有效降低开关损耗并提升转换效率。此外，其输入电容和输出电容较小，分别为 500 pF 和 190 pF，进一步优化了高频响应性能。
　　NM-SF50+ 还具备良好的热性能，尽管其封装为小型 SOT23，但在适当的 PCB 布局和散热设计下，仍可承载高达 1.8 A 的连续漏极电流。其最大结温可达 +150 °C，并具有过温保护能力，增强了在恶劣环境下的运行可靠性。器件还具备较强的抗浪涌能力，IDM 达到 7 A，适用于短时高电流冲击场合，如电机启动或电容充电过程。
　　另一个重要特性是其阈值电压范围合理（1.0 V ~ 2.5 V），使其兼容 3.3 V 和 5 V 逻辑电平，便于与微控制器、逻辑门电路等直接接口，无需额外的电平转换电路。同时，±20 V 的最大栅源电压提供了足够的安全裕度，防止因瞬态电压尖峰导致栅氧化层击穿。综上所述，NM-SF50+ 凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多中低功率开关应用中的理想选择。

NM-SF50+ 广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电控制。其低导通电阻和小封装特性使其非常适合用于这些对空间和能效要求严格的场景。
　　在电源管理系统中，该器件常用于同步整流降压（Buck）或升压（Boost）转换器的低边开关，配合控制器实现高效率 DC-DC 变换。此外，它也可作为高端开关使用，配合自举电路或专用驱动器工作。
　　工业控制领域中，NM-SF50+ 可用于驱动继电器、LED 阵列、小型直流电机和电磁阀等负载，实现精确的通断控制。由于其快速的开关速度和较低的驱动需求，特别适合由微处理器 GPIO 直接驱动的场合。
　　在通信设备和消费类电子产品中，该器件可用于信号切换、热插拔保护电路和过流保护模块。其 SOT23 小型封装也便于自动化贴片生产，提升了制造效率。总之，凡是需要中等电流、低电压开关功能的场合，NM-SF50+ 都是一个可靠且经济的选择。

PMBF1605,115